CDM22010-650 SL参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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CDM22010-650 SL概述

MOSFET N-Ch 10A PFC FET 650V 8NC 0.88Ω

通孔 N 通道 10A（Ta） 2W（Ta），156W（Tc） TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 10A 650V TO220

贸泽:
MOSFET N-Ch 10A PFC FET 650V 8.0nC 0.88Ohm

CDM22010-650 SL中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 880 mΩ

耗散功率 156 W

阈值电压 2 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 33 ns

下降时间 36 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买CDM22010-650 SL

型号： CDM22010-650 SL

制造商： Central Semiconductor

描述：MOSFET N-Ch 10A PFC FET 650V 8NC 0.88Ω