CTLDM304P-M832DS TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

CTLDM304P-M832DS TR概述

MOSFET SMD Sm Signal Mosfet Dual P-Ch Enhanced

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 4.2A 1.65W 表面贴装型 TLM832DS

得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS

CTLDM304P-M832DS TR中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 760pF @15VVds

额定功率Max 1.65 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TDFN-8

外形尺寸

封装 TDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CTLDM304P-M832DS TR

型号： CTLDM304P-M832DS TR

制造商： Central Semiconductor

描述：MOSFET SMD Sm Signal Mosfet Dual P-Ch Enhanced