CMLDM8005 TR

CMLDM8005 TR图片1
CMLDM8005 TR中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 100pF @16VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CMLDM8005 TR
型号: CMLDM8005 TR
制造商: Central Semiconductor
描述:CMLDM8005 系列 20 V 0.8 Ohm 双 P 沟道 增强模式 硅 Mosfet

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