CSD75301W1015概述
TEXAS INSTRUMENTS CSD75301W1015 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.2 A, -20 V, 80 mohm, -4.5 V, -700 mV
The is a NexFET™ dual P-channel Power MOSFET designed to deliver the lowest ON-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile. It is suitable for use with load switch, battery protection and management applications.
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- Common source configuration
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- Small footprint
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- Ultra Low Qg and Qgd
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- Halogen-free
CSD75301W1015中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 80 mΩ
极性 Dual P-Channel
耗散功率 800 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.2A
上升时间 1.7 ns
输入电容Ciss 195pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 UFBGA-6
外形尺寸
封装 UFBGA-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD75301W1015引脚图与封装图 
