CY7C1354B-166BGC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1354B-166BGC概述

9 -MB （ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线SRAM与NOBL架构 9-Mb 256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 256K x 36 Parallel 166MHz 3.5ns 119-PBGA 14x22

得捷:
IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

CY7C1354B-166BGC中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 166MHz max

存取时间 166 µs

内存容量 9000000 B

电源电压 3.135V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-119

外形尺寸

封装 BGA-119

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1354B-166BGC

型号： CY7C1354B-166BGC

描述：9 -MB （ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线SRAM与NOBL架构 9-Mb 256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture

替代型号CY7C1354B-166BGC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1354B-166BGC Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1354C-166BGC 赛普拉斯	类似代替	CY7C1354B-166BGC和CY7C1354C-166BGC的区别
CY7C1354C-166BGI 赛普拉斯	功能相似	CY7C1354B-166BGC和CY7C1354C-166BGI的区别
CY7C1354C-166BGXC 赛普拉斯	功能相似	CY7C1354B-166BGC和CY7C1354C-166BGXC的区别