CY7C1361B-100BGC

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CY7C1361B-100BGC概述

9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流通型SRAM 9-Mbit 256K x 36/512K x 18 Flow-Through SRAM

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 256K x 36 Parallel 100MHz 8.5ns 119-PBGA 14x22


得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA


CY7C1361B-100BGC中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 100MHz max

存取时间 100 µs

内存容量 9000000 B

电源电压 3.135V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-119

外形尺寸

封装 BGA-119

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1361B-100BGC
型号: CY7C1361B-100BGC
描述:9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流通型SRAM 9-Mbit 256K x 36/512K x 18 Flow-Through SRAM
替代型号CY7C1361B-100BGC
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