CY7C1426AV18-167BZXC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1426AV18-167BZXC概述

36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 9 Parallel 167MHz 165-FBGA 15x17

得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

贸泽:
静态随机存取存储器 4Mx9 QDR II Burst 4 静态随机存取存储器 COM

CY7C1426AV18-167BZXC中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

时钟频率 167MHz max

存取时间 167 µs

内存容量 36000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray, Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1426AV18-167BZXC

型号： CY7C1426AV18-167BZXC

描述：36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture