CY7C1314BV18-167BZI

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CY7C1314BV18-167BZI概述

18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb(512K x 36) 并联 165-FBGA(13x15)


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


CY7C1314BV18-167BZI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1314BV18-167BZI
型号: CY7C1314BV18-167BZI
描述:18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture
替代型号CY7C1314BV18-167BZI
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CY7C1314BV18-167BZI

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

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完全替代

CY7C1314BV18-167BZI和CY7C1314BV18-167BZC的区别

CY7C1314BV18-250BZXC

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CY7C1314BV18-167BZI和CY7C1314BV18-250BZXC的区别

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