CY7C1314BV18-250BZC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1314BV18-250BZC概述

18 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15

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CY7C1314BV18-250BZC

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IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA

CY7C1314BV18-250BZC中文资料参数规格

技术参数

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1314BV18-250BZC

型号： CY7C1314BV18-250BZC

描述：18 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1314BV18-250BZC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1314BV18-250BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1314BV18-250BZXC 赛普拉斯	完全替代	CY7C1314BV18-250BZC和CY7C1314BV18-250BZXC的区别
CY7C1314BV18-167BZI 赛普拉斯	完全替代	CY7C1314BV18-250BZC和CY7C1314BV18-167BZI的区别
CY7C1314BV18-167BZC 赛普拉斯	类似代替	CY7C1314BV18-250BZC和CY7C1314BV18-167BZC的区别