CY7C1250V18-333BZC

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CY7C1250V18-333BZC概述

36兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 333MHz 165-FBGA 15x17


立创商城:
CY7C1250V18-333BZC


得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1250V18-333BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1250V18-333BZC
型号: CY7C1250V18-333BZC
描述:36兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

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