CY7C1268V18-400BZXC

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CY7C1268V18-400BZXC概述

36兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 4M x 8 Parallel 400MHz 165-FBGA 15x17


立创商城:
CY7C1268V18-400BZXC


得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C1268V18-400BZXC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CY7C1268V18-400BZXC
型号: CY7C1268V18-400BZXC
描述:36兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

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