CY7C1315CV18-167BZC

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CY7C1315CV18-167BZC概述

18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 167MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1315CV18-167BZC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.5ns 165-Pin FBGA


CY7C1315CV18-167BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1315CV18-167BZC
型号: CY7C1315CV18-167BZC
描述:18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

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