CY7C1393BV18-167BZC

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CY7C1393BV18-167BZC概述

18兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 167MHz 165-FBGA 13x15


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.5ns 165-Pin FBGA Tray


Win Source:
18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture


CY7C1393BV18-167BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 0.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1393BV18-167BZC
型号: CY7C1393BV18-167BZC
描述:18兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture

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