CY7C1311CV18-200BZC

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CY7C1311CV18-200BZC概述

18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb(2M x 8) 并联 200 MHz 165-FBGA(13x15)


立创商城:
CY7C1311CV18-200BZC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 8 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1311CV18-200BZC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1311CV18-200BZC
型号: CY7C1311CV18-200BZC
描述:18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

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