CY7C1412AV18-200BZC

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CY7C1412AV18-200BZC概述

36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 200MHz 165-FBGA 15x17


立创商城:
CY7C1412AV18-200BZC


贸泽:
静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Win Source:
IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA


CY7C1412AV18-200BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1412AV18-200BZC
型号: CY7C1412AV18-200BZC
描述:36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1412AV18-200BZC
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