CY7C1319CV18-250BZC

CY7C1319CV18-250BZC图片1
CY7C1319CV18-250BZC图片2
CY7C1319CV18-250BZC概述

18兆位的DDR - II SRAM 4字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1319CV18-250BZC


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1319CV18-250BZC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1319CV18-250BZC
型号: CY7C1319CV18-250BZC
描述:18兆位的DDR - II SRAM 4字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台