36 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture
SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 300MHz 165-FBGA 15x17
得捷: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
贸泽: SRAM 2Mx18 QDR II Burst 4 SRAM
存取时间 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
封装 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
数据手册