CY7C1512V18-250BZIT参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1512V18-250BZIT概述

静态随机存取存储器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 IND

SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 72Mb（4M x 18）并联 250 MHz 165-FBGA（15x17）

贸泽:
静态随机存取存储器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 IND

CY7C1512V18-250BZIT中文资料参数规格

技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1512V18-250BZIT

型号： CY7C1512V18-250BZIT

描述：静态随机存取存储器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 IND