CY7C1313BV18-200BZC

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CY7C1313BV18-200BZC概述

18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 200MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1313BV18-200BZC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
SRAM 1Mx18 1.8V COM QDR II SRAM


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


Win Source:
IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA


CY7C1313BV18-200BZC中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1313BV18-200BZC
型号: CY7C1313BV18-200BZC
描述:18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

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