18兆位的DDR - II SRAM 4字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture
SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 167MHz 165-FBGA 13x15
立创商城: CY7C1321CV18-167BZC
得捷: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装 LBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
RoHS标准
含铅标准
数据手册