CY7C1321CV18-167BZC

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CY7C1321CV18-167BZC概述

18兆位的DDR - II SRAM 4字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 167MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1321CV18-167BZC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


CY7C1321CV18-167BZC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1321CV18-167BZC
型号: CY7C1321CV18-167BZC
描述:18兆位的DDR - II SRAM 4字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

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