CY7C1418BV18-267BZXC

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CY7C1418BV18-267BZXC概述

36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb(2M x 18) 并联 165-FBGA(15x17)


贸泽:
SRAM 2Mx18 DDR-II Burst 2 SRAM


CY7C1418BV18-267BZXC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CY7C1418BV18-267BZXC
型号: CY7C1418BV18-267BZXC
描述:36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

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