静态随机存取存储器 18M Q+, B4 2.5 LATENCY
SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb(512K x 36) 并联 400 MHz 165-FBGA(13x15)
立创商城: CY7C1165V18-400BZXC
贸泽: 静态随机存取存储器 18M Q+, B4 2.5 LATENCY
Chip1Stop: SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA
存取时间 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
安装方式 Surface Mount
封装 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册