CY7C1354DV25-200BZI

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CY7C1354DV25-200BZI概述

9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线SRAM与NOBL架构 9-Mbit 256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture

SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 9Mb(256K x 36) 并联 165-FBGA(13x15)


立创商城:
CY7C1354DV25-200BZI


得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA


罗切斯特:
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 165FBGA


CY7C1354DV25-200BZI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 2.375V ~ 2.625V

封装参数

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: CY7C1354DV25-200BZI
描述:9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线SRAM与NOBL架构 9-Mbit 256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture

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