CY7C1414TV18-200BZXC

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CY7C1414TV18-200BZXC概述

静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 200 MHz 1.8V

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 200MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1414TV18-200BZXC


得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 200 MHz 1.8V


罗切斯特:
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP


CY7C1414TV18-200BZXC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1414TV18-200BZXC
型号: CY7C1414TV18-200BZXC
描述:静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 200 MHz 1.8V

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