CY7C1415TV18-200BZI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1415TV18-200BZI概述

静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 200 MHz 1.8V

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 200MHz 165-FBGA 13x15

立创商城:
CY7C1415TV18-200BZI

得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

贸泽:
静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 200 MHz 1.8V

CY7C1415TV18-200BZI中文资料参数规格

技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1415TV18-200BZI

型号： CY7C1415TV18-200BZI

描述：静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 200 MHz 1.8V