CY7C1314SV18-200BZC

CY7C1314SV18-200BZC图片1
CY7C1314SV18-200BZC图片2
CY7C1314SV18-200BZC概述

静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 200 MHz 1.8V

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 200MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1314SV18-200BZC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 200 MHz 1.8V


CY7C1314SV18-200BZC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1314SV18-200BZC
型号: CY7C1314SV18-200BZC
描述:静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 200 MHz 1.8V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台