CY7C1270XV18-600BZXC

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CY7C1270XV18-600BZXC概述

36兆位的DDR II的Xtreme SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit DDR II Xtreme SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 600MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1270XV18-600BZXC


贸泽:
静态随机存取存储器 36MB 1Mx36 1.8v 600MHz DDR II 静态随机存取存储器


DeviceMart:
IC SRAM DDRII 36MBIT 165FBGA


CY7C1270XV18-600BZXC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 50 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1270XV18-600BZXC
型号: CY7C1270XV18-600BZXC
描述:36兆位的DDR II的Xtreme SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit DDR II Xtreme SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency
替代型号CY7C1270XV18-600BZXC
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