CBR02C809B3GAC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CBR02C809B3GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 8 pF, 25 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0201 [0603公制]

±0.1pF 25V 陶瓷器 C0G，NP0 0201（0603 公制）

得捷:
CAP CER 8PF 25V C0G/NP0 0201

贸泽:
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 25V 8pF C0G 0201 0.1pF

e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 8 pF, 25 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0201 [0603公制]

艾睿:
Cap Ceramic 8pF 25V C0G 0.1pF Pad SMD 0201 125°C Low ESR Medical T/R

Verical:
Cap Ceramic 8pF 25V C0G 0.1pF Pad SMD 0201 125C Low ESR Medical T/R

CBR02C809B3GAC中文资料参数规格

技术参数

电容 8 PF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 0603

封装 0201

外形尺寸

长度 0.6 mm

宽度 0.3 mm

高度 0.3 mm

封装公制 0603

封装 0201

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF，微波，高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR02C809B3GAC引脚图与封装图

在线购买CBR02C809B3GAC

型号： CBR02C809B3GAC

描述：射频电容, C0G / NP0, 8 pF, 25 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0201 [0603公制]

替代型号CBR02C809B3GAC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CBR02C809B3GAC KEMET Corporation 基美	当前型号	当前型号
GJM0335C1E8R0BB01D 村田	类似代替	CBR02C809B3GAC和GJM0335C1E8R0BB01D的区别
C0603C0G1E080B030BG 东电化	功能相似	CBR02C809B3GAC和C0603C0G1E080B030BG的区别
GJM0335C1E8R0BB01J 村田	功能相似	CBR02C809B3GAC和GJM0335C1E8R0BB01J的区别