CBR02C108B5GAC

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CBR02C108B5GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 0.1 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0201 [0603公制]

0.1 pF ±0.1pF 50V 陶瓷器 C0G,NP0 0201(0603 公制)


得捷:
CAP CER 0.1PF 50V C0G/NP0 0201


立创商城:
0.1pF ±0.1pF 50V


贸泽:
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50volts .1pF C0G 0201 .1pF Tol RF


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 0.1 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0201 [0603公制]


艾睿:
Cap Ceramic 0.1pF 50V C0G 0.1pF Pad SMD 0201 125°C T/R


CBR02C108B5GAC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50 V

电容 0.1 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 0603

封装 0201

外形尺寸

长度 0.6 mm

宽度 0.3 mm

高度 0.3 mm

封装公制 0603

封装 0201

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR02C108B5GAC引脚图与封装图
CBR02C108B5GAC引脚图
在线购买CBR02C108B5GAC
型号: CBR02C108B5GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 0.1 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0201 [0603公制]
替代型号CBR02C108B5GAC
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