CBR04C399B1GAC

CBR04C399B1GAC图片1
CBR04C399B1GAC图片2
CBR04C399B1GAC图片3
CBR04C399B1GAC图片4
CBR04C399B1GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 3.9 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

±0.1pF 100V 陶瓷器 C0G,NP0 0402(1005 公制)


立创商城:
3.9pF ±0.1pF 100V


得捷:
CAP CER 3.9PF 100V C0G/NP0 0402


贸泽:
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 100volts 3.9pF C0G 0402 .1pF Tol RF


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 3.9 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]


艾睿:
Cap Ceramic 3.9pF 100V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125°C Low ESR Medical T/R


安富利:
Cap Ceramic 3.9pF 100V C0G 0.1pF SMD 0402 125°C Punched Paper T/R


Verical:
Cap Ceramic 3.9pF 100V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125C Low ESR Medical T/R


CBR04C399B1GAC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

电容 3.9 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR04C399B1GAC引脚图与封装图
CBR04C399B1GAC引脚图
CBR04C399B1GAC封装图
CBR04C399B1GAC封装焊盘图
在线购买CBR04C399B1GAC
型号: CBR04C399B1GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 3.9 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]
替代型号CBR04C399B1GAC
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CBR04C399B1GAC

KEMET Corporation 基美

当前型号

当前型号

CBR04C399A1GAC

基美

类似代替

CBR04C399B1GAC和CBR04C399A1GAC的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台