CBR04C709B1GAC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CBR04C709B1GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 7 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

±0.1pF 100V 陶瓷器 C0G，NP0 0402（1005 公制）

立创商城:
7pF ±0.1pF 100V

得捷:
CAP CER 7PF 100V C0G/NP0 0402

贸泽:
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 100volts 7pF C0G 0402 .1pF Tol RF

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射频电容, C0G / NP0, 7 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

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Cap Ceramic 7pF 100V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125°C Low ESR Medical T/R

Verical:
Cap Ceramic 7pF 100V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125C Low ESR Medical T/R

CBR04C709B1GAC中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

电容 7 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF，微波，高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR04C709B1GAC引脚图与封装图

在线购买CBR04C709B1GAC

型号： CBR04C709B1GAC

描述：射频电容, C0G / NP0, 7 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]