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CBR06C829BAGAC概述

射频电容, C0G / NP0, 8.2 pF, 250 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0603 [1608公制]

8.2 pF ±0.1pF 250V 陶瓷器 C0G,NP0 0603(1608 公制)


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8.2pF ±0.1pF 250V


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CAP CER 8.2PF 250V C0G/NP0 0603


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Cap Ceramic 8.2pF 250V C0G 0.1pF Pad SMD 0603 125°C Low ESR Medical T/R


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Cap Ceramic 8.2pF 250V C0G 0.1pF Pad SMD 0603 125C Low ESR Medical T/R


CBR06C829BAGAC中文资料参数规格
技术参数

电容 8.2 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 250 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.60 mm

宽度 0.80 mm

高度 0.8 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CBR06C829BAGAC引脚图与封装图
CBR06C829BAGAC引脚图
在线购买CBR06C829BAGAC
型号: CBR06C829BAGAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 8.2 pF, 250 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0603 [1608公制]

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