CBR06C110FAGAC

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CBR06C110FAGAC概述

射频电容, C0G / NP0, 11 pF, 250 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0603 [1608公制]

±1% 250V 陶瓷器 C0G,NP0 0603(1608 公制)


得捷:
CAP CER 11PF 250V C0G/NP0 0603


立创商城:
11pF ±1% 250V


贸泽:
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 250volts 11pF C0G 0603 1% Tol RF


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 11 pF, 250 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0603 [1608公制]


艾睿:
Cap Ceramic 11pF 250V C0G 1% Pad SMD 0603 125°C Low ESR Medical T/R


CBR06C110FAGAC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

电容 11 pF

容差 ±1 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

额定电压 250 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.8 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR06C110FAGAC引脚图与封装图
CBR06C110FAGAC引脚图
在线购买CBR06C110FAGAC
型号: CBR06C110FAGAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 11 pF, 250 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0603 [1608公制]

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