CBR04C129B5GAC概述
KEMET CBR04C129B5GAC 射频电容, 1.2 pF, 50 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C 新
CBR-SMD RF C0G, Ceramic, High Q, 1.2 pF, +/-0.1 pF, 50 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0402
立创商城:
1.2pF ±0.1pF 50V
得捷:
CAP CER 1.2PF 50V NP0 0402
e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 1.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]
艾睿:
Cap Ceramic 1.2pF 50V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125°C T/R
Newark:
# KEMET CBR04C129B5GAC CAPACITOR, RF, 1.2PF, 50V, 0402 New
CBR04C129B5GAC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 1.2 pF
容差 ±0.1 pF
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 0402
外形尺寸
长度 1.00 mm
宽度 0.5 mm
高度 0.5 mm
封装 0402
物理参数
材质 C0G/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
最小包装 1
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
CBR04C129B5GAC引脚图与封装图 
在线购买CBR04C129B5GAC
型号： CBR04C129B5GAC
制造商：
KEMET Corporation
基美
描述：KEMET CBR04C129B5GAC 射频电容, 1.2 pF, 50 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C 新