CBR04C109B5GAC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CBR04C109B5GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 1 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

CBR-SMD RF C0G, Ceramic, High Q, 1 pF, +/-0.1 pF, 50 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0402

得捷:
CAP CER 1PF 50V NP0 0402

e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 1 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

艾睿:
Cap Ceramic 1pF 50V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125°C T/R

安富利:
Cap Ceramic 1pF 50V C0G 0.1pF SMD 0402 125°C Punched Paper T/R

CBR04C109B5GAC中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50 V

电容 1 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1.00 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1

制造应用 RF，微波，高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR04C109B5GAC引脚图与封装图

在线购买CBR04C109B5GAC

型号： CBR04C109B5GAC

描述：射频电容, C0G / NP0, 1 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

替代型号CBR04C109B5GAC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CBR04C109B5GAC KEMET Corporation 基美	当前型号	当前型号
0402N1R0B500CT 台湾华科	类似代替	CBR04C109B5GAC和0402N1R0B500CT的区别
0402CG1R0B500NT 风华高科	类似代替	CBR04C109B5GAC和0402CG1R0B500NT的区别
C1005C0G1H010BT 东电化	类似代替	CBR04C109B5GAC和C1005C0G1H010BT的区别