CBR04C829B5GAC概述
射频电容, C0G / NP0, 8.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]
±0.1pF 50V 陶瓷器 C0G，NP0 0402（1005 公制）
得捷:
CAP CER 8.2PF 50V NP0 0402
e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 8.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]
艾睿:
Cap Ceramic 8.2pF 50V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125°C Low ESR Medical T/R
安富利:
Cap Ceramic 8.2pF 50V C0G 0.1pF SMD 0402 125°C Punched Paper T/R
CBR04C829B5GAC中文资料参数规格
CBR04C829B5GAC引脚图与封装图 
在线购买CBR04C829B5GAC
型号： CBR04C829B5GAC
制造商：
KEMET Corporation
基美
描述：射频电容, C0G / NP0, 8.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]
替代型号CBR04C829B5GAC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CBR04C829B5GAC KEMET Corporation 基美 | 当前型号 | 当前型号 |
CBR04C829B1GAC 基美 | 类似代替 | CBR04C829B5GAC和CBR04C829B1GAC的区别 |
ECD-G0E8R2B 松下 | 功能相似 | CBR04C829B5GAC和ECD-G0E8R2B的区别 |