CBR04C908B5GAC

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CBR04C908B5GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 0.9 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

0.9 pF ±0.1pF 50V 陶瓷器 C0G,NP0 0402(1005 公制)


立创商城:
0.9pF ±0.1pF 50V


得捷:
CAP CER 0.9PF 50V NP0 0402


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 0.9 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]


CBR04C908B5GAC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50 V

电容 0.9 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1.00 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: CBR04C908B5GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 0.9 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

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