CBR06C829C5GAC

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CBR06C829C5GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 8.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.25pF, 125 °C, 0603 [1608公制]

8.2 pF ±0.25pF 50V 陶瓷器 C0G,NP0 0603(1608 公制)


得捷:
CAP CER 8.2PF 50V NP0 0603


立创商城:
8.2pF ±0.25pF 50V


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 8.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.25pF, 125 °C, 0603 [1608公制]


艾睿:
Cap Ceramic 8.2pF 50V C0G 0.25pF Pad SMD 0603 125°C T/R


Verical:
Cap Ceramic 8.2pF 50V C0G 0.25pF Pad SMD 0603 125C Low ESR Medical T/R


CBR06C829C5GAC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50 V

电容 8.2 pF

容差 ±0.25 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.60 mm

宽度 0.80 mm

高度 0.8 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR06C829C5GAC引脚图与封装图
CBR06C829C5GAC引脚图
在线购买CBR06C829C5GAC
型号: CBR06C829C5GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 8.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.25pF, 125 °C, 0603 [1608公制]
替代型号CBR06C829C5GAC
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CBR06C829C5GAC

KEMET Corporation 基美

当前型号

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C1608C0G1H8R2CT

东电化

功能相似

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