CBR06C189B5GAC

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CBR06C189B5GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 1.8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0603 [1608公制]

CBR-SMD RF C0G, Ceramic, High Q, 1.8 pF, +/-0.1 pF, 50 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0603


得捷:
CAP CER 1.8PF 50V NP0 0603


立创商城:
1.8pF ±0.1pF 50V


贸泽:
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50volts 1.8pF C0G 0603 .1pF Tol RF


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 1.8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0603 [1608公制]


艾睿:
Cap Ceramic 1.8pF 50V C0G 0.1pF Pad SMD 0603 125°C T/R


CBR06C189B5GAC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50 V

电容 1.8 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.8 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR06C189B5GAC引脚图与封装图
CBR06C189B5GAC引脚图
在线购买CBR06C189B5GAC
型号: CBR06C189B5GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 1.8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0603 [1608公制]

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