CBR04C808A5GAC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CBR04C808A5GAC概述

射频电容, 0.8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.05pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

0.8 pF ±0.05pF 50V 陶瓷器 C0G，NP0 0402（1005 公制）

立创商城:
0.8pF ±0.05pF 50V

得捷:
CAP CER 0.8PF 50V NP0 0402

贸泽:
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 50V 0.8pF C0G 0402 0.05pF

e络盟:
射频电容, 0.8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.05pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

艾睿:
Cap Ceramic 0.8pF 50V C0G 0.05pF Pad SMD 0402 125°C T/R

CBR04C808A5GAC中文资料参数规格

技术参数

电容 0.8 pF

容差 ±0.05 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF，微波，高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR04C808A5GAC引脚图与封装图

在线购买CBR04C808A5GAC

型号： CBR04C808A5GAC

描述：射频电容, 0.8 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.05pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

替代型号CBR04C808A5GAC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CBR04C808A5GAC KEMET Corporation 基美	当前型号	当前型号
GJM1555C1HR80WB01D 村田	类似代替	CBR04C808A5GAC和GJM1555C1HR80WB01D的区别
GRM1555C1HR80WA01D 村田	类似代替	CBR04C808A5GAC和GRM1555C1HR80WA01D的区别
CQ0402ARNPO9BNR80 国巨	类似代替	CBR04C808A5GAC和CQ0402ARNPO9BNR80的区别