CPV363M4F

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CPV363M4F概述

VISHAY CPV363M4F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 16A, 600V, 36W, 600V, SIP

IGBT Module Three Phase Inverter 600V 16A 36W Through Hole IMS-2


得捷:
IGBT MODULE 600V 16A 36W IMS-2


Newark:
# VISHAY  CPV363M4F  IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 16 A, 600 V, 36 W, 600 V, SIP


CPV363M4F中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 36 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 1.1nF @30V

额定功率Max 36 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 13

封装 SIP-19

外形尺寸

封装 SIP-19

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CPV363M4F
型号: CPV363M4F
描述:VISHAY CPV363M4F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 16A, 600V, 36W, 600V, SIP

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