Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFETWolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换，具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed
碳化硅功率 MOSFET
Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。
增强模式 N 通道 SiC 技术
高漏-源击穿电压 - 高达 1200V
多个设备易于并行且易于驱动
高速切换，具有低接通电阻
防闩锁操作
### MOSFET ，Wolfspeed
额定功率 62.5 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.28 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 1.2 kV
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 7.6 ns
输入电容Ciss 259pF @1000VVds
下降时间 9.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 21.1 mm
高度 5.21 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17