CBR06C180F5GAC

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CBR06C180F5GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 18 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0603 [1608公制]

CBR-SMD RF C0G, Ceramic, High Q, 18 pF, 1%, 50 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0603


立创商城:
18pF ±1% 50V


得捷:
CAP CER 18PF 50V NP0 0603


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 18 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0603 [1608公制]


CBR06C180F5GAC中文资料参数规格
技术参数

容差 ±1 %

工作温度Max 125 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.60 mm

宽度 0.80 mm

高度 0.8 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR06C180F5GAC引脚图与封装图
CBR06C180F5GAC引脚图
在线购买CBR06C180F5GAC
型号: CBR06C180F5GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 18 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0603 [1608公制]
替代型号CBR06C180F5GAC
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CBR06C180F5GAC

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当前型号

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