CBR08C509B1GAC

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CBR08C509B1GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 5 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0805 [2012公制]

±0.1pF 100V 陶瓷器 C0G,NP0 0805(2012 公制)


得捷:
CAP CER 5PF 100V NP0 0805


立创商城:
5pF ±0.1pF 100V


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 5 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0805 [2012公制]


艾睿:
Cap Ceramic 5pF 100V C0G 0.1pF Pad SMD 0805 125°C Low ESR Medical T/R


Verical:
Cap Ceramic 5pF 100V C0G 0.1pF Pad SMD 0805 125C Low ESR Medical T/R


CBR08C509B1GAC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

电容 5 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.85 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CBR08C509B1GAC引脚图与封装图
CBR08C509B1GAC引脚图
CBR08C509B1GAC封装图
CBR08C509B1GAC封装焊盘图
在线购买CBR08C509B1GAC
型号: CBR08C509B1GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 5 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0805 [2012公制]
替代型号CBR08C509B1GAC
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CBR08C509B1GAC

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