CL21B104KBFNNNF

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CL21B104KBFNNNF概述

0805 0.1 uF 50 V X7R ±10% 容差 多层 陶瓷 贴片电容

0805 0.1 uF 50 V X7R ±10% Tolerance Multilayer Ceramic Chip Capacitor


得捷:
CAP CER 0.1UF 50V X7R 0805


艾睿:
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 10% Pad SMD 0805 125°C T/R


安富利:
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 10% SMD 0805 125°C Embossed T/R


Verical:
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 10% Pad SMD 0805 125C T/R


CL21B104KBFNNNF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

绝缘电阻 10 GΩ

电容 0.1 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

厚度 1.25 mm

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 10000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CL21B104KBFNNNF引脚图与封装图
CL21B104KBFNNNF引脚图
CL21B104KBFNNNF封装图
CL21B104KBFNNNF封装焊盘图
在线购买CL21B104KBFNNNF
型号: CL21B104KBFNNNF
制造商: Samsung 三星
描述:0805 0.1 uF 50 V X7R ±10% 容差 多层 陶瓷 贴片电容
替代型号CL21B104KBFNNNF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CL21B104KBFNNNF

Samsung 三星

当前型号

当前型号

CL21B104KBFNNNE

三星

完全替代

CL21B104KBFNNNF和CL21B104KBFNNNE的区别

CL21B104KBANNNC

三星

完全替代

CL21B104KBFNNNF和CL21B104KBANNNC的区别

CL21B104KBCNNNC

三星

类似代替

CL21B104KBFNNNF和CL21B104KBCNNNC的区别

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