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CDZT2R8.2B图片1

CDZT2R8.2B概述

VMN 8.19V 0.1W1/10W

- 齐纳 ±2% 表面贴装型 VMN2

得捷:
DIODE ZENER 8.2V 100MW VMN2

CDZT2R8.2B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 8.20 V

容差 ±2 %

额定功率 100 mW

耗散功率 100 mW

稳压值 8.2 V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOD-923

外形尺寸

封装 SOD-923

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CDZT2R8.2B

型号： CDZT2R8.2B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：VMN 8.19V 0.1W1/10W

替代型号CDZT2R8.2B

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