C3M0120090D概述
C3M0120090D 管装
N-Channel 23A Tc 97W Tc Through Hole TO-247-3
立创商城:
N沟道 900V 23A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin3+Tab TO-247
TME:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin3+Tab TO-247
C3M0120090D中文资料参数规格
技术参数
额定功率 97 W
通道数 1
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 97 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 350pF @600VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 97W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅