MOSFET N-CH 900V 11A
N-Channel 900 V 11A Tc 50W Tc Surface Mount D2PAK-7
贸泽: MOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
艾睿: Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin7+Tab D2PAK T/R
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 900 V
上升时间 6.5 ns
输入电容Ciss 150pF @600VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册
C3M0280090J-TR
CREE 美国科锐
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