TEXAS INSTRUMENTS CSD19505KTT 晶体管, MOSFET, N沟道, 212 A, 80 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.6 V 新
这款 80V、2.6mΩ、D2PAK TO-263 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅引脚镀层
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
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- D2PAK 塑料封装
## 应用
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- 次级侧同步整流器
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- 电机控制
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通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 7920pF @40VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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