C3M0280090J

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C3M0280090J概述

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8Pin7+Tab D2PAK

N-Channel 900 V 11A Tc 50W Tc Surface Mount D2PAK-7


艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin7+Tab D2PAK


TME:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7


Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin7+Tab D2PAK


C3M0280090J中文资料参数规格
技术参数

额定功率 50 W

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 900 V

上升时间 6.5 ns

输入电容Ciss 150pF @600VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TO-263-8

外形尺寸

封装 TO-263-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买C3M0280090J
型号: C3M0280090J
描述:Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8Pin7+Tab D2PAK
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C3M0280090J和C3M0280090J-TR的区别

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